掺杂铌酸锂晶体极化方法和装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种掺杂铌酸锂晶体极化方法和装置，属于晶体材料后处理技术领域。本发明包括，1230±5℃极化温度条件，对晶体端面、陶瓷板、Pt片电极进行整平处理，并在一可移动加热炉与带有样品支架的基座扣合而成的极化装置中进行极化。所用陶瓷板是按Li2CO3∶Nb2O5∶Ta2OP5＝95∶(85±5)∶15±5摩尔比配料并烧结的掺杂LN陶瓷板。用本发明的方法和装置进行极化处理的掺杂LN晶体能实现完全单畴化，光学均匀性高达10-6～10-5cm-1。本发明的方法和装置设计合理，简便易行。
基本信息
专利标题 ：
掺杂铌酸锂晶体极化方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1076227A
申请号 ：
CN93110359.2
公开（公告）日 ：
1993-09-15
申请日 ：
1993-04-02
授权号 ：
CN1026805C
授权日 ：
1994-11-30
发明人 ：
孟宪林孙友轩
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
250100山东省济南市山大南路27号
代理机构 ：
山东大学专利事务所
代理人 ：
孙君
优先权 ：
CN93110359.2
主分类号 ：
C30B33/04
IPC分类号 ：
C30B33/04 C30B29/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/04
用电场或磁场或粒子辐射
法律状态
1996-05-15 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-11-30 ：
授权
1993-09-15 ：
公开
1993-09-08 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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