一种横向MIM格点阵等离激元吸收器
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摘要
本发明为一种横向MIM格点阵等离激元吸收器，由介质基底和具有周期性的金属纳米颗粒阵列构成，每组金属纳米颗粒由两个相对的金长方体块及其中间所夹的介质层构成。入射光为磁场方向平行于介质基底平面的TM平面波，其波矢k与竖直方向有一定夹角，从而可以在金属纳米颗粒阵列中激发OLP形式的格点阵等离激元，且相邻的纳米金属单元之间会产生较强的共振耦合，在特定的结构参数和入射角下就会对入射光产生特定的吸收峰。并且相比于与其它基于阵列的等离激元吸收器具有很高的品质因数和很好的调谐性，该横向MIM格点阵等离激元吸收器在微纳光学集成器件领域具有着良好的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种横向MIM格点阵等离激元吸收器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111552014A
申请号 ：
CN202010416222.7
公开（公告）日 ：
2020-08-18
申请日 ：
2020-05-17
授权号 ：
CN111552014B
授权日 ：
2022-04-29
发明人 ：
肖功利杨文琛薛淑文杨宏艳杨寓婷张开富李海鸥
申请人 ：
桂林电子科技大学
申请人地址 ：
广西壮族自治区桂林市金鸡路1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202010416222.7
主分类号 ：
G02B5/00
IPC分类号 ：
G02B5/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B5/00
除透镜外的光学元件
法律状态
2022-04-29 ：
授权
2021-07-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 5/00
申请日 : 20200517
申请日 : 20200517
2020-08-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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