一种硅基底3-6μm红外窗口片
授权
摘要
本发明公开了一种硅基底3‑6μm红外窗口片，所述红外窗口片以单晶硅为基底，所述基底两侧均镀有单层的增透膜，所述增透膜选自一氧化硅膜或氧化钇膜，本发明以单晶硅作为基底，选择一氧化硅或者氧化钇作为增透膜材料，意外的发现在特定的厚度下(一氧化硅增透膜的厚度为0.537‑0.696μm，氧化钇增透膜的厚度为0.502‑0.689μm)，只需两侧均采用单层的增透膜结构，即可使红外窗口片在3‑6μm的红外波段平均透过率≥90％，极值透过率≥98％；而在优选的方案中，所述红外窗口片在3‑6μm的红外波段平均透过率≥90％，极值透过率≥99.6％。本发明采用单层增透膜却达到了现有技术中需要设置多层增透膜才能达到的红外窗口的使用效果。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基底3-6μm红外窗口片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111812753A
申请号 ：
CN202010483854.5
公开（公告）日 ：
2020-10-23
申请日 ：
2020-06-01
授权号 ：
CN111812753B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
潘安练
申请人 ：
湖南大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号
代理机构 ：
长沙市融智专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
钟丹
优先权 ：
CN202010483854.5
主分类号 ：
G02B1/113
IPC分类号 ：
G02B1/113 C23C14/08 C23C14/30 G01J5/02
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B1/00
按制造材料区分的光学元件；用于光学元件的光学涂层
G02B1/10
对光学元件表面涂覆或对它进行表面处理后所产生的光学涂层
G02B1/11
抗反射涂层
G02B1/113
仅使用无机材料
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-06-25 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移IPC(主分类) : G02B 1/113
登记生效日 : 20210616
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 湖南大学
变更后权利人 : 湖南麓星光电科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号
变更后权利人 : 410014 湖南省长沙市天心区新岭路62号湖南生态医博园（天心软件产业园）A区A-1栋101
登记生效日 : 20210616
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 湖南大学
变更后权利人 : 湖南麓星光电科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南路2号
变更后权利人 : 410014 湖南省长沙市天心区新岭路62号湖南生态医博园（天心软件产业园）A区A-1栋101
2020-11-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 1/113
申请日 : 20200601
申请日 : 20200601
2020-10-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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