二氧化硅-金刚石复合材料及其制备方法
授权
摘要
本发明为一种二氧化硅‑金刚石复合材料及其制备方法，该复合材料为多层膜形成的体材料，每层膜是由SiO2和金刚石组成的混合相结构，制备时，先采用微波等离子体化学气相沉积法，在基体表面进行金刚石和SiC的共沉积，形成SiC‑金刚石混合相膜，然后再对SiC‑金刚石混合相膜进行氧化处理，使SiC转变为SiO2，制备形成SiO2‑金刚石混合相膜。重复SiC‑金刚石混合相膜的制备及SiC转变为SiO2的过程，使SiO2‑金刚石混合相膜不断增厚，最后在达到所需厚度后，去除基体，即获得SiO2‑金刚石复合材料。本发明的SiO2‑金刚石复合材料兼具氧化硅的透过性和金刚石良好的散热性，可用于需要良好透过性和散热性能的场合。
基本信息
专利标题 ：
二氧化硅-金刚石复合材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111593322A
申请号 ：
CN202010561138.4
公开（公告）日 ：
2020-08-28
申请日 ：
2020-06-18
授权号 ：
CN111593322B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
马永郑可吴玉程黑鸿君高洁周兵
申请人 ：
太原理工大学
申请人地址 ：
山西省太原市迎泽西大街79号
代理机构 ：
太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张宏
优先权 ：
CN202010561138.4
主分类号 ：
C23C16/27
IPC分类号 ：
C23C16/27 C23C16/32 C23C16/517 C23C16/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
C23C16/27
仅沉积金刚石
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-09-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/27
申请日 : 20200618
申请日 : 20200618
2020-08-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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