受光元件和电子设备
授权
摘要
本发明涉及受光元件和电子设备。其中，所述受光元件可包括：第一沟槽部，设置在半导体层中，所述半导体层在截面图中位于片上透镜和多层配线层之间；第二沟槽部，在所述截面图中位于所述半导体层中且邻近所述第一沟槽部；光电二极管，在所述截面图中位于所述半导体层中且在所述第一沟槽部和所述第二沟槽部之间；第一传输晶体管，将所述光电二极管中生成的电荷传输至第一浮动扩散区域；以及第二传输晶体管，将所述光电二极管中生成的电荷传输至第二浮动扩散区域，其中，所述多层配线层包括：第一配线层，其中，所述第一配线层包括：连接到所述第一传输晶体管的第一栅极的第一配线、连接到所述第二传输晶体管的第二栅极的第二配线，以及遮光构件。
基本信息
专利标题 ：
受光元件和电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111900179A
申请号 ：
CN202010595900.0
公开（公告）日 ：
2020-11-06
申请日 ：
2019-07-01
授权号 ：
CN111900179B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
蛯子芳树闺宏司佐野拓也
申请人 ：
索尼半导体解决方案公司
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
卫李贤
优先权 ：
CN202010595900.0
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 G01S17/08 G01S17/894 G01S7/481 H04N5/369
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-11-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20190701
申请日 : 20190701
2020-11-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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