受光元件和测距模块
授权
摘要
受光元件包括片上透镜、配线层和布置在片上透镜和配线层之间的半导体层。半导体层包括被施加第一电压的第一电压施加单元、被施加不同于第一电压的第二电压的第二电压施加单元、布置在第一电压施加单元的周边处的第一电荷检测、布置在第二电压施加单元的周边处的第二电荷检测单元以及设置在有效像素区域外侧的电荷排出区域。例如，本技术可应用于在ToF方法中生成距离信息的受光元件等。
基本信息
专利标题 ：
受光元件和测距模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921012547.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-01
授权号 ：
CN210575955U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
井本努矶谷优治丸山卓哉村瀬拓郎渡辺竜太山崎武
申请人 ：
索尼半导体解决方案公司
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
曹正建
优先权 ：
CN201921012547.8
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H04N5/369 H04N5/374 G01S7/481
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
