光接收元件、测距模块和电子设备
公开
摘要
本发明提出一种光接收元件，其包括：芯片上透镜；互连层；和布置在所述芯片上透镜与所述互连层之间的半导体层。所述半导体层包括光电二极管、像素间沟槽部和像素内沟槽部。所述像素间沟槽部是通过在相邻像素的边界部处挖掘所述半导体层的深度方向上的至少一部分而形成的。所述像素内沟槽部是通过在平面图中与所述光电二极管的一部分重叠的位置处从所述半导体层的正面或背面挖掘预定深度而形成的。
基本信息
专利标题 ：
光接收元件、测距模块和电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556571A
申请号 ：
CN202080065708.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蛯子芳树横川创造成瀬纯次
申请人 ：
索尼半导体解决方案公司
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陈桂香
优先权 ：
CN202080065708.9
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 G01S7/4865 G01S17/08 H04N9/04
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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