利用硅连接层形成片上网络的FPGA装置
授权
摘要
本申请公开了一种利用硅连接层形成片上网络的FPGA装置，涉及FPGA技术领域，该FPGA装置内部设计有源的硅连接层，硅连接层内部布设硅连接层互连框架，FPGA裸片内部的各个裸片功能模块接入硅连接层互连框架与其共同形成片上网络，裸片功能模块与硅连接层互连框架中的网络接口和路由器形成为一个NOC节点，NOC节点互相连通，从而可以令未内建NOC网络的FPGA裸片中的裸片功能模块之间借由硅连接层互连框架实现高效互连通信，在提高FPGA装置内部的数据传输带宽和性能的基础上降低加工难度。
基本信息
专利标题 ：
利用硅连接层形成片上网络的FPGA装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111755437A
申请号 ：
CN202010620258.7
公开（公告）日 ：
2020-10-09
申请日 ：
2020-07-01
授权号 ：
CN111755437B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
范继聪徐彦峰单悦尔闫华张艳飞
申请人 ：
无锡中微亿芯有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市建筑西路777号B1幢2层
代理机构 ：
无锡华源专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
过顾佳
优先权 ：
CN202010620258.7
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L25/00 H01L23/535 H01L23/538 G06F30/34
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-10-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/18
申请日 : 20200701
申请日 : 20200701
2020-10-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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