一种闪存错误页比例评估模型及方法
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摘要

本发明公开了一种闪存错误页比例评估模型及方法。闪存错误页比例可为闪存存储系统性能和功耗优化提供基础,但直接获取错误页比例时需要巨大的时间和空间开销,难以直接评估,而闪存的编程/擦除周期、数据保存时间获取十分方便。因此本发明通过对闪存进行测试获取在不同闪存编程/擦除周期、数据保存时间下的错误页比例相关数据,建立闪存错误页比例与编程/擦除周期、数据保存时间关联关系模型,最终用闪存编程/擦除周期和数据保存时间来快速估计错误页比例的模型。本发明对闪存存储系统的性能提升、功耗降低及相关工业应用具有重大意义。

基本信息
专利标题 :
一种闪存错误页比例评估模型及方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111863117A
申请号 :
CN202010650477.X
公开(公告)日 :
2020-10-30
申请日 :
2020-07-08
授权号 :
CN111863117B
授权日 :
2022-04-29
发明人 :
吴佳余云苗诗君李礼刘碧贞
申请人 :
上海威固信息技术股份有限公司
申请人地址 :
上海市青浦区高泾路599号1幢2层208室
代理机构 :
上海海贝律师事务所
代理人 :
王文锋
优先权 :
CN202010650477.X
主分类号 :
G11C29/56
IPC分类号 :
G11C29/56  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/48
专门适用于从外部到存储器的静态存储中的测试装置,例如:用直接存储器存取或者用辅助访问路径
G11C29/56
用于静态存储器的外部测试装置,例如,自动测试设备;所用接口
法律状态
2022-04-29 :
授权
2020-11-17 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/56
申请日 : 20200708
2020-10-30 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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