一种硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法
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摘要
本发明涉及一种硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法，其包括步骤：提供具有硒空位缺陷的硒化亚锡纳米片以及硒粉；将所述具有硒空位缺陷的硒化亚锡纳米片置于双温区管式炉的载气下游的加热段中，同时，将所述硒粉置于所述双温区管式炉的载气上游的加热段中；在惰性气体的保护下，对所述双温区管式炉的载气上游的加热段进行加热，使所述载气上游的加热段的温度达到第一预设阀值，其后，对所述双温区管式炉的载气下游的加热段进行加热，使所述载气下游的加热段的温度达到第二预设阀值，并进行保温处理，即得到硒空位缺陷修复后的硒化亚锡纳米片。本发明通过对硒化亚锡纳米片中的硒空位缺陷进行修复，有效提高了硒化亚锡纳米片的电导率。
基本信息
专利标题 ：
一种硒化亚锡纳米片中硒空位缺陷的修复方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111908433A
申请号 ：
CN202010686441.7
公开（公告）日 ：
2020-11-10
申请日 ：
2020-07-16
授权号 ：
CN111908433B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
李煜郑博方张晗李峰
申请人 ：
深圳大学
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区南海大道3688号
代理机构 ：
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
温宏梅
优先权 ：
CN202010686441.7
主分类号 ：
C01B19/04
IPC分类号 ：
C01B19/04 B82Y40/00 B82Y30/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B19/00
硒；碲；其化合物
C01B19/04
二元化合物
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-11-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01B 19/04
申请日 : 20200716
申请日 : 20200716
2020-11-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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