氧空位缺陷的SnO2纳米材料的制备...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种氧空位缺陷的SnO2纳米材料，及其制备、使用方法，本发明采用Sn2+为锡源，通过低温下的水热过程将其部分氧化为Sn4+，在SnO2晶格中引入氧空位缺陷。本发明获得的氧空位缺陷的SnO2在应用于吸附和光催化时展现出良好的性能，因氧空位的存在使其具有更宽的光响应范围、更强的光生电子和空穴分离效率、更多的表面吸附和氧化还原反应活性位点，可在环境修复方面发挥作用，对甲基橙的吸附效率为43.4％，模拟太阳光照6min对甲基橙的降解效率高达98.0％，对Cr(VI)的吸附效率为78.0％，模拟太阳光照4min对Cr(VI)的还原效率高达98.3％。本发明的氧空位缺陷的SnO2纳米材料是一种集优异的吸附和光催化活性于一体的光催化剂，其具有优异的吸附和光催化性能，能够应用于多个场景。
基本信息
专利标题 ：
氧空位缺陷的SnO2纳米材料的制备方法、氧空位缺陷的SnO2纳米材料及使用方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114538501A
申请号 ：
CN202210234274.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨静凯任望为张佳欣崔延孙宇赵洪力梁波
申请人 ：
燕山大学
申请人地址 ：
河北省秦皇岛市河北大街西段438号
代理机构 ：
北京孚睿湾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘翠芹
优先权 ：
CN202210234274.1
主分类号 ：
C01G19/02
IPC分类号 ：
C01G19/02 B01J20/06 B01J20/28 B01J20/30 B01J23/14 B01J35/02 B82Y30/00 B82Y40/00 C02F1/28 C02F1/30 C02F101/22 C02F101/34 C02F101/38
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G19/00
锡的化合物
C01G19/02
氧化物
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01G 19/02
申请日 : 20220310
申请日 : 20220310
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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