电子元件的剥离方法和应用其的超声波振动装置
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种电子元件的剥离方法和应用其的超声波振动装置,该剥离方法包括:设置具有多个电子元件的电子元件板于一第一胶膜的胶面上,相邻的电子元件之间具有切割线;沿所述切割线进行切割;对所述第一胶膜进行解胶处理,降低所述第一胶膜与所述多个电子元件之间的粘度;以及采用超声波振动子振动所述第一胶膜的背面,使所述多个电子元件从所述第一胶膜剥离,其中,所述第一胶膜的背面是所述胶面的背面。根据本发明的剥离方法和超声波振动装置采用超声波振动子振动胶膜的背面,不直接接触电子元件,可以有效地使电子元件从胶膜的胶面上剥离,不会对电子元件造成挤压以及发生胶体破损等现象,保证电子元件的完整性。
基本信息
专利标题 :
电子元件的剥离方法和应用其的超声波振动装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114334701A
申请号 :
CN202011056429.4
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2020-09-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
庄荣桂
申请人 :
亿光电子(中国)有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市吴江区吴江经济技术开发区运西分区中山北路2135号
代理机构 :
上海专利商标事务所有限公司
代理人 :
杜娟
优先权 :
CN202011056429.4
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67 H01L21/78 H01L33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20200930
申请日 : 20200930
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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