凹槽的形成方法以及在位形成凹槽和填充外延层的方法
公开
摘要
本发明公开了一种凹槽的形成方法，包括步骤：步骤一、对硅衬底进行采用干法刻蚀工艺的第一次刻蚀形成呈U型或球型的凹槽；步骤二、在外延工艺腔中采用HCl和GeH4两种反应气体对凹槽进行第二次刻蚀使凹槽呈钻石型。本发明还公开了一种在位形成凹槽和填充外延层的方法。本发明能在外延工艺腔中对U型或球型进行反应气体的刻蚀形成钻石型凹槽，有利于在位实现凹槽的刻蚀和外延填充工艺，从而能减少嵌入式外延层的工艺环中的工艺步骤，并进而减少由工艺步骤所产生的缺陷。
基本信息
专利标题 ：
凹槽的形成方法以及在位形成凹槽和填充外延层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334653A
申请号 ：
CN202011056640.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王耀增郑印呈聂望欣涂火金刘厥扬胡展源
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN202011056640.6
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/78 H01L29/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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