铜填充凹槽结构及其制造方法
公开
摘要
本发明公开了一种铜填充凹槽结构，包括：凹槽，形成于第一介质层中；在凹槽的底部表面和侧面形成有阻挡层；在阻挡层的表面形成钴层和钌层；铜层将形成有阻挡层、钴层和钌层的所述凹槽完全填充并形成铜填充凹槽结构；铜层完全由铜电镀膜组成；由钴层和钌层叠加形成铜层的辅助成核膜层。本发明还公开了一种铜填充凹槽结构的制造方法。本发明铜层不含铜籽晶层，完全由铜电镀膜组成，从而能提高在凹槽中填充铜的能力，有利于铜填充凹槽结构的缩小，特别适用于作为14nm工艺节点以下的铜连线和通孔。
基本信息
专利标题 ：
铜填充凹槽结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420671A
申请号 ：
CN202011171811.X
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾招钦鲍宇
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN202011171811.X
主分类号 ：
H01L23/528
IPC分类号 ：
H01L23/528 H01L23/532 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/528
互连结构的布置
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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