一种硅上凹槽无空洞有机介质填充方法
公开
摘要
本发明公开了一种无空洞有机介质填充方法，针对硅晶片重构工艺中埋置芯片和填充凹槽之间形成的高深比窄凹槽结构，首先在硅晶片上制备凹槽结构，去除凹槽表面的化学污渍和颗粒残留，对硅晶片上凹槽结构采用纯氧等离子处理，将增粘剂平铺至凹槽结构表面，采用有机溶剂对凹槽结构表面进行预湿，使有机溶剂吸附在凹槽结构表面上；然后在制备有凹槽结构的硅晶片上旋涂有机介质；最后通过至少两次抽真空排除凹槽结构内的气泡，对有机介质进行固化。通过本方法能够显著的提高填充工艺的均匀性和稳定性，减少硅上凹槽结构内的介质填充空洞工艺风险，显著提高产品的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种硅上凹槽无空洞有机介质填充方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114566471A
申请号 ：
CN202210182477.0
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-02-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈新鹏李宝霞刘鹏飞霍瑞霞
申请人 ：
西安微电子技术研究所
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路198号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
崔方方
优先权 ：
CN202210182477.0
主分类号 ：
H01L23/29
IPC分类号 ：
H01L23/29 H01L23/31 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/29
按材料特点进行区分的
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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