一种高绝缘性低热膨胀系数介质浆料及其制备方法和用途
授权
摘要
本发明属于电子材料技术领域，特别涉及一种高绝缘性低热膨胀系数介质浆料及其制备方法和用途。所述介质浆料包括以下质量份组分：溶剂：20～30份；粘结剂：0.3～1份；增稠剂：0.5～2份；增塑剂：0.2～1份；微晶玻璃粉：70～80份；其中，所述微晶玻璃粉包含：质量百分比为30％～50％的CaO、35％～50％的SiO2、10％～30％的Al2O3、1％～5％的MgO、0.1％～2％的ZnO、0.01％～5％的K2O、稀土氧化物；所述稀土氧化物为Gd2O3和/或Eu2O3，添加含量为0.3‑1.0％；以所述微晶玻璃粉的质量为基准。本发明采用无硼、钡微晶玻璃粉制备了一种与低热膨胀系数高温合金基体相匹配的浆料，获得的介质浆料具有高绝缘性、高触变性、低热膨胀系数，满足介质浆料的使用要求。
基本信息
专利标题 ：
一种高绝缘性低热膨胀系数介质浆料及其制备方法和用途
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112216422A
申请号 ：
CN202011078417.1
公开（公告）日 ：
2021-01-12
申请日 ：
2020-10-10
授权号 ：
CN112216422B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
汤建国李志强雷萍尚善斋吕茜袁大林吴俊廖晓祥廖思尧韩敬美王汝洪鎏王程娅
申请人 ：
云南中烟工业有限责任公司
申请人地址 ：
云南省昆明市五华区红锦路367号
代理机构 ：
北京市领专知识产权代理有限公司
代理人 ：
任永利
优先权 ：
CN202011078417.1
主分类号 ：
H01B3/08
IPC分类号 ：
H01B3/08 H01B19/00 C03C12/00 C03C10/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B3/00
按绝缘材料的特性区分的绝缘体或绝缘物体；绝缘或介电材料的性能的选择
H01B3/02
主要由无机物组成的
H01B3/08
石英；玻璃；玻璃纤维；矿渣棉；釉瓷
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2021-01-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01B 3/08
申请日 : 20201010
申请日 : 20201010
2021-01-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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