一种宽带高透过单层AlF3减反射膜...
实质审查的生效
摘要
本发明属于光学薄膜技术领域,公开了一种以AlF3为靶材用磁控溅射法制备宽带高透过AlF3减反射膜的制备方法,包括以下步骤:SF6/Ar2气体流量比设置、溅射工作压力设置,射频电源功率设置;本发明以AlF3作为靶材,以Ar2作为工作气体,SF6作为反应气体,使用仪器的气路混合装置将气体充分混合,通过调整溅射时SF6/Ar2气体流量比值,改善了沉积AlF3薄膜中F贫乏缺陷的问题,通过调整工作压力和射频电源功率使得AlF3薄膜F∶Al的化学计量比接近于正常化学计量比值3∶1,降低了薄膜的折射率,且提高了镀膜玻璃的透过率。采用本技术方案制得AlF3减反射膜可应用于光学器件中,制备工艺简单、成本降低。
基本信息
专利标题 :
一种宽带高透过单层AlF3减反射膜的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114351098A
申请号 :
CN202011089057.5
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2020-10-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘俊成马超李宁
申请人 :
天津工业大学
申请人地址 :
天津市西青区宾水西道399号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202011089057.5
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35 C03C17/22 C23C14/06 G02B1/113
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20201013
申请日 : 20201013
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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