一种生长在碳布上高缺陷的二硫化钼析氢催化剂的制备
公开
摘要
本发明主要属于原子缺陷型材料制备以及电解水产氢技术领域,涉及一种生长在碳布上高缺陷的二硫化钼析氢催化剂的制备方法。针对于二硫化钼在催化析氢中低活性的问题,本发明以含钼化合物、硫脲、含锌化合物、碳布为原料,通过水热法和酸蚀法成功地在碳布上合成了高缺陷二硫化钼纳米片电催化剂。制备该催化剂包含以下步骤:(1)碳布的预处理;(2)生长在碳布上的锌掺杂硫化钼的制备;(3)生长在碳布上超高缺陷的二硫化钼催化剂的成型。本发明适用于室温下酸性电解液中的析氢反应。
基本信息
专利标题 :
一种生长在碳布上高缺陷的二硫化钼析氢催化剂的制备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114522700A
申请号 :
CN202011184518.7
公开(公告)日 :
2022-05-24
申请日 :
2020-10-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
赵世怀张小雨齐思雨
申请人 :
天津工业大学
申请人地址 :
天津市西青区宾水西道399号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202011184518.7
主分类号 :
B01J27/051
IPC分类号 :
B01J27/051 B01J37/06 B01J37/10 B01J21/18 B01J35/02 C25B1/04 C25B11/091
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B01
一般的物理或化学的方法或装置
B01J
化学或物理方法,例如,催化作用或胶体化学;其有关设备
B01J27/00
包含卤素、硫、硒、碲、磷或氮的元素或化合物的催化剂;包含碳化合物的催化剂
B01J27/02
硫、硒或碲;它们的化合物
B01J27/04
硫化物
B01J27/047
含有铬、钼、钨或钋
B01J27/051
钼
法律状态
2022-05-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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