离子发生装置以及半导体制造设备
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种离子发生装置及半导体制造设备,离子发生装置包括电弧室、喷嘴和气源,电弧室用于产生电弧,喷嘴与电弧室配合,喷嘴上设有多个与电弧室的内部连通的喷射孔,气源与喷嘴连通,用于为电弧室供给气体。当离子发生装置启动时,气源的气体经喷嘴的各喷射孔进入到电弧室的内部,由于在喷嘴上设置多个喷射孔,进入到电弧室的气体更加分散,从而提高了气体在电弧室的内部的均匀性,从而提高了气体的离子化效率,另外,减少了气体的使用量,使得生产制造的成本得到了降低。

基本信息
专利标题 :
离子发生装置以及半导体制造设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114446747A
申请号 :
CN202011218147.X
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2020-11-04
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
朴兴雨李河圣朱宁炳刘金彪刘青王垚李琳张琦辉
申请人 :
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址 :
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 :
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 :
李晶
优先权 :
CN202011218147.X
主分类号 :
H01J37/317
IPC分类号 :
H01J37/317  H01J37/08  H01L21/265  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,例如为了对其检验或加工的
H01J37/30
物体局部处理用的电子束管或离子束管
H01J37/317
用于改变物体的特性或在其上加上薄层的,如离子注入
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/317
申请日 : 20201104
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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