用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法
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摘要
本发明公开了一种用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法，旨在提供一种能控制不同材料的去除速率，从而实现对蝶形坑和蚀坑控制的方法。将抛光液加入抛光机中，在工作压力为1‑2PSI、抛盘转速为80‑100转/分、抛头转速为78‑98转/分、抛光液流量为200‑300ml/min的条件下抛光；所述抛光液由下述组分组成：硅溶胶5‑20％，功能型组分0.001‑10％，表面活性剂0.001‑10％，去离子水余量；功能型组分由A剂、B剂及C剂组成，A剂为FA/O螯合剂、四羟基乙基乙二胺、乙二胺及三乙醇胺中的任一种，B剂为硫酸铜、甘氨酸铜、柠檬酸铜及柠檬酸螯合铜中的任一种；C剂为硝酸钾、柠檬酸钾、酒石酸钾中的一种或者任意混合。该方法能提高芯片成品率和良率。
基本信息
专利标题 ：
用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112355884A
申请号 ：
CN202011220177.4
公开（公告）日 ：
2021-02-12
申请日 ：
2020-11-05
授权号 ：
CN112355884B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
王辰伟刘玉岭罗翀王胜利孙鸣高宝红
申请人 ：
河北工业大学;天津晶岭微电子材料有限公司
申请人地址 ：
天津市红桥区光荣道29号河北工业大学南院微电子所
代理机构 ：
天津市三利专利商标代理有限公司
代理人 ：
肖莉丽
优先权 ：
CN202011220177.4
主分类号 ：
B24B37/04
IPC分类号 ：
B24B37/04 C09G1/04
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B37/00
研磨机床或装置；附件
B24B37/04
适用于加工平面的
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-03-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B24B 37/04
申请日 : 20201105
申请日 : 20201105
2021-02-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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