一种侧壁保护工艺制备高精度银电极的方法
授权
摘要
本发明提供了一种侧壁保护工艺制备高精度银电极的方法，利用Bosch工艺的侧壁保护机理和Ag湿刻后的底切形貌，Ag刻蚀后，Bosch工艺C4F8沉积钝化聚合物，再SF6刻蚀底部和顶部的聚合物，保留侧壁钝化层聚合物作为保护层，保护底部ITO刻蚀时Ag不被刻蚀，从而减少CD loss。使用Bosch侧壁保护刻蚀工艺，能够把CD loss由一步湿刻的>1um减小到小于0.1um，满足超高分辨率显示需求。
基本信息
专利标题 ：
一种侧壁保护工艺制备高精度银电极的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112366040A
申请号 ：
CN202011248264.0
公开（公告）日 ：
2021-02-12
申请日 ：
2020-11-10
授权号 ：
CN112366040B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
吕迅刘胜芳刘晓佳王志超
申请人 ：
安徽熙泰智能科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市芜湖长江大桥综合经济开发区高安街道经四路一号办公楼五楼
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
任晨晨
优先权 ：
CN202011248264.0
主分类号 ：
H01B13/00
IPC分类号 ：
H01B13/00 H01L51/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B13/00
制造导体或电缆制造的专用设备或方法
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-03-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01B 13/00
申请日 : 20201110
申请日 : 20201110
2021-02-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
