二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件
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摘要
本发明提供了一种二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件，涉及半导体技术领域，二维材料异质结结构包括：生长于衬底的单原子层或多原子层X‑Y烯异质结薄膜，每层所述X‑Y烯异质结薄膜中X和Y相拼接形成共价键异质结结构；其中，X和Y独立地选自VA族元素且不相同。本发明的二维材料异质结结构在二维材料内部形成稳定的共价键异质结结构，解决了传统二维材料无法形成真正单原子层的二维异质结，并且所形成的异质结是由范德瓦尔斯力所维系的，材料的稳定性不佳的问题。同时，层内异质结的构成也使得器件制备更加灵活，可以构建层内‑层间异质结复合结构，使得器件性质控制更加多样化。
基本信息
专利标题 ：
二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112420861A
申请号 ：
CN202011298767.9
公开（公告）日 ：
2021-02-26
申请日 ：
2020-11-18
授权号 ：
CN112420861B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
方铉牛守柱杜鹏刘晓磊房丹王登魁魏志鹏王晓华王菲
申请人 ：
长春理工大学
申请人地址 ：
吉林省长春市朝阳区卫星路7089号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
陈露
优先权 ：
CN202011298767.9
主分类号 ：
H01L31/0336
IPC分类号 ：
H01L31/0336 H01L31/109 H01L21/02
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-03-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0336
申请日 : 20201118
申请日 : 20201118
2021-02-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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