一种基于InGaN/有机异质结构光电极材料及其制备方法与...
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种基于InGaN/有机异质结构光电极材料及其制备方法与应用。该光电极材料包括Si衬底、所述Si衬底上设置的InGaN纳米柱、所述InGaN纳米柱上表面设置的有机材料层；所述有机材料层为非富勒烯材料层。本发明使用有机材料IT‑4F不仅拓宽了光电极材料的吸收光谱范围，有效钝化表面电荷复合，同时与InGaN纳米柱形成异质结构促进了电荷载流子的解离、传输及其在电极/电解液界面发生还原反应，大大提高了光电转换效率，从而有利于实现无偏压下光电化学水分解制氢，为高效利用太阳能转换为氢能提供了有效策略。
基本信息
专利标题 ：
一种基于InGaN/有机异质结构光电极材料及其制备方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540875A
申请号 ：
CN202210105589.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李国强谢少华刘乾湖梁杰辉
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
钟燕琼
优先权 ：
CN202210105589.6
主分类号 ：
C25B11/095
IPC分类号 ：
C25B11/095 C25B11/059 C25B11/054 C25B1/04 C25B1/55 C30B29/40 C30B29/66 C30B25/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C25
电解或电泳工艺；其所用设备
C25B
生产化合物或非金属的电解工艺或电泳工艺；其所用的设备
C25B11/095
至少一种化合物是有机的
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C25B 11/095
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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