一种制备ZnO/MgB2异质结材料...
专利权的终止
摘要
本发明涉及ZnO/MgB2异质结材料和制法，该材料包括在衬底上长10纳米～10微米厚二硼化镁膜，在其上长10纳米～10微米厚ZnO膜。采用常规制薄膜工艺制备先驱MgB2薄膜，将MgB2先驱硼膜和0.1～3.0克的镁封闭在石英管中抽真空封闭，放在马弗炉中烧结得到MgB2薄膜；把MgB2薄膜和氧化锌靶安装在脉冲激光沉积设备真空室内，在真空度1×10－3～5×10－8Pa以上，温度为150℃－600℃下；用能量为120毫焦至450毫焦的准分子脉冲激光聚焦到氧化锌靶或者掺杂氧化锌靶上，进行沉积得到ZnO/MgB2异质结。所制备异质结可以用作远红外至可见光至紫外光的探测器。
基本信息
专利标题 ：
一种制备ZnO/MgB2异质结材料及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941424A
申请号 ：
CN200510107826.9
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵嵩卿周岳亮赵昆刘震王淑芳韩鹏陈正豪吕惠宾程波林何萌杨国桢
申请人 ：
中国科学院物理研究所
申请人地址 ：
100080北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 ：
北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人 ：
高存秀
优先权 ：
CN200510107826.9
主分类号 ：
H01L31/109
IPC分类号 ：
H01L31/109 H01L31/18
法律状态
2013-11-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101542122520
IPC(主分类) : H01L 31/109
专利号 : ZL2005101078269
申请日 : 20050930
授权公告日 : 20090204
终止日期 : 20120930
号牌文件序号 : 101542122520
IPC(主分类) : H01L 31/109
专利号 : ZL2005101078269
申请日 : 20050930
授权公告日 : 20090204
终止日期 : 20120930
2009-02-04 ：
授权
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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