一种二维材料异质结器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种二维材料异质结器件及其制备方法，属于二维材料领域。所述制备方法通过反应离子刻蚀机刻蚀基底后加工包埋电极，保证电极与衬底高度基本一致从而有效提高了表面平整度，有利于避免在制备多层异质结结构时异质结结构出现破裂，有利于形成更多层数的异质结结构，极大提高了多层异质结器件的成功率与器件质量。所述制备方法还通过热胀冷缩来控制干法转移过程中的贴合速率以降低贴合过程中对材料造成的破坏，极大提高了利用多层异质结器件的成功率与器件质量。
基本信息
专利标题 ：
一种二维材料异质结器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361021A
申请号 ：
CN202111540061.3
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林君浩杨其朔李沛岭
申请人 ：
南方科技大学;中国科学院物理研究所
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区学苑大道1088号
代理机构 ：
广东金泰智汇专利商标代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
林松涛
优先权 ：
CN202111540061.3
主分类号 ：
H01L21/285
IPC分类号 ：
H01L21/285 C23C14/02 C23C14/30 C30B29/40 C30B29/46 C30B29/64 C30B33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
H01L21/285
气体或蒸气的沉积，例如冷凝
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/285
申请日 : 20211216
申请日 : 20211216
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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