微机电装置及其形成方法
公开
摘要
本发明提供一种微机电装置及其形成方法，微机电装置包括复合基底、空腔、压电堆叠结构以及质量块。复合基底包括由下而上依序堆叠的第一半导体层、黏合层以及第二半导体层。空腔设置于复合基底内，空腔从第二半导体层延伸到第一半导体层且不贯穿第一半导体层。压电堆叠结构设置于复合基底上，压电堆叠结构包含位于空腔上方的一悬挂区域。质量块设置在空腔内并连接压电堆叠结构。
基本信息
专利标题 ：
微机电装置及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114604817A
申请号 ：
CN202011413995.6
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
夏佳杰
申请人 ：
世界先进积体电路股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
深圳新创友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘莉
优先权 ：
CN202011413995.6
主分类号 ：
B81B7/02
IPC分类号 ：
B81B7/02 B81C1/00 H04R19/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
B81B7/02
包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置，例如微电子—机械系统
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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