微机电系统器件、微机电系统加速度计及其形成方法
公开
摘要
在半导体基质材料层中的凹陷表面上形成半导体氧化物板。在半导体基质材料层中形成多个梳结构。所述多个梳结构包括通过第一半导体部分而间隔开的一对内梳结构。使用各向同性刻蚀工艺相对于所述多个梳结构选择性地移除在侧向上环绕第一半导体部分的第二半导体部分。半导体氧化物板、所述一对内梳结构及覆盖所述多个梳结构的图案化刻蚀掩模层保护第一半导体部分免受各向同性刻蚀工艺的刻蚀剂影响。形成用于微机电系统器件的可移动结构，所述可移动结构包括半导体基质材料层的第一部分与所述一对内梳结构的组合。
基本信息
专利标题 ：
微机电系统器件、微机电系统加速度计及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114620672A
申请号 ：
CN202110423645.6
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-04-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈亭蓉林诗玮
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾伯兴
优先权 ：
CN202110423645.6
主分类号 ：
B81B7/02
IPC分类号 ：
B81B7/02 B81C1/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
B81B7/02
包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置，例如微电子—机械系统
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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