半导体器件及其形成方法
公开
摘要
本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括将支撑衬底接合至晶圆的半导体衬底。接合层位于支撑衬底和半导体衬底之间，并且接合至支撑衬底和半导体衬底两者。执行第一蚀刻工艺以蚀刻支撑衬底且形成贯穿支撑衬底终且止于接合层的开口。开口具有基本上直的边缘。然后蚀刻接合层。执行第二蚀刻工艺以将开口向下延伸到半导体衬底中。开口的底部是弯曲的。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114572929A
申请号 ：
CN202210059325.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王肇仪古进誉吕文雄毛隆凯郑明达
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202210059325.1
主分类号 ：
B81B7/02
IPC分类号 ：
B81B7/02 B81C1/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B81
微观结构技术
B81B
微观结构的装置或系统，例如微观机械装置
B81B7/00
微观结构系统
B81B7/02
包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置，例如微电子—机械系统
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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