一种硬压接式IGBT模块
公开
摘要
本发明提供了一种硬压接式IGBT模块，包括压接式子单元、管盖、管座和PCB，所述管盖与管座连接，中间形成容纳腔，所述压接式子单元和PCB均设于容纳腔内，所述管盖与压接式子单元的集电极接触，管座表面与所述压接式子单元的发射极接触，所述PCB与压接式子单元的栅极连接，所述管盖和/或管座上设有定向爆破结构；本发明提供的硬压接式IGBT模块加工方便、可靠性高、能实现管壳定向爆破。
基本信息
专利标题 ：
一种硬压接式IGBT模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613731A
申请号 ：
CN202011428689.X
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张文浩石廷昌常桂钦李寒李亮星董国忠
申请人 ：
株洲中车时代半导体有限公司
申请人地址 ：
湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼三楼309室
代理机构 ：
北京风雅颂专利代理有限公司
代理人 ：
刘文博
优先权 ：
CN202011428689.X
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L23/04 H01L25/07 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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