气相法制备二维材料的方法及系统
公开
摘要
本发明公开了一种气相法制备二维材料的方法及系统，其中，该方法包括气相刻蚀步骤：具有刻蚀作用的气体与MAX相材料在第一预定温度反应，将所述MAX相材料中的A组分刻蚀，得到含有MX的二维材料。本发明的方法避免了液相法中制备MXene还需要反复的清洗、超声以及离心分离、干燥等步骤，极大简化了制备工艺，降低了制备成本，能够实现MXene的工业化宏量制备，为MXene在不同领域的应用奠定基础。
基本信息
专利标题 ：
气相法制备二维材料的方法及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114620728A
申请号 ：
CN202011466046.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨树斌杜志国
申请人 ：
北京航空航天大学
申请人地址 ：
北京市海淀区学院路37号
代理机构 ：
北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人 ：
李岩
优先权 ：
CN202011466046.4
主分类号 ：
C01B32/90
IPC分类号 ：
C01B32/90 C01B21/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B32/00
碳；其化合物
C01B32/90
碳化物
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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