化合物氟化硫属锗酸钡和氟化硫属锗酸钡非线性光学晶体及制备...
公开
摘要
本发明涉及一种化合物氟化硫属锗酸钡和氟化硫属锗酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途，该化合物和晶体化学式均为Ba2F2Ge2O3S2，均属正交晶系，空间群Aba2，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝8，单胞体积
分子量569.98，该Ba2F2Ge2O3S2粉末在2090nm激光照射下，其倍频效应约为1倍KTiOPO4。化合物氟化硫属锗酸钡采用真空高温固相反应法合成，氟化硫属锗酸钡非线性光学晶体采用高温溶液法或布里奇曼法(坩埚下降法)生长，该晶体在非线性光学器件中有广泛应用。
基本信息
专利标题 ：
化合物氟化硫属锗酸钡和氟化硫属锗酸钡非线性光学晶体及制备方法和用途
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622280A
申请号 ：
CN202011471517.0
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴红萍宋中富俞洪伟胡章贵
申请人 ：
天津理工大学
申请人地址 ：
天津市西青区宾水西道391号
代理机构 ：
北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王颖
优先权 ：
CN202011471517.0
主分类号 ：
C30B29/46
IPC分类号 ：
C30B29/46 C30B1/10 C30B11/00 G02F1/355
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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