硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用
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摘要
本发明涉及一种硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体的化学式为Li4MgGe2S7，分子量为421.67，结晶于单斜晶系，空间群为Cc，晶胞参数为a=16.872(6)Å，b=6.711(2)Å，c=10.156(4)；α=90°，β=95.169(5)°，γ=90°，V=1145.3(7)Å3。硫锗镁锂为无色透明的非中心对称结构晶体，以[LiS4]，[MgS4]和[GeS4]四面体组成结构基元。采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法制备，可用于制备红外波段激光频率的转换、红外激光制导、红外激光雷达、能源探测、远距离激光通讯中的用途。所获得的硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体具有优异的光学性能，其红外吸收截止边长，带隙宽，激光损伤阈值高，非线性光学系数大。在高功率红外激光系统中具有重要的应用价值。
基本信息
专利标题 ：
硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113174640A
申请号 ：
CN202110473493.0
公开（公告）日 ：
2021-07-27
申请日 ：
2021-04-29
授权号 ：
CN113174640B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
潘世烈李俊杰艾力江·阿卜杜如苏力王鹏
申请人 ：
中国科学院新疆理化技术研究所
申请人地址 ：
新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市北京南路40号附1号
代理机构 ：
乌鲁木齐中科新兴专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
张莉
优先权 ：
CN202110473493.0
主分类号 ：
C30B29/46
IPC分类号 ：
C30B29/46 C30B11/02 G02F1/355
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-08-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/46
申请日 : 20210429
申请日 : 20210429
2021-07-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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