一种碘酸硫酸铈二阶非线性光学晶体及其制备与应用
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摘要
本发明涉及一种碘酸硫酸铈二阶非线性光学晶体及其制备与应用，该晶体材料的化学式为Ce(IO3)2(SO4)，分子量为585.98，属于正交晶系，其空间群为P212121，晶胞参数为α＝β＝γ＝90°，Z＝4，晶胞体积为
本发明的碘酸硫酸铈晶体材料具有优良的光学性能，在1064nm激光辐照下，粉末倍频强度约为磷酸二氢钾晶体的3.5倍，且在1064nm激光照射下能实现相位匹配。此外，该晶体材料具有大的双折射(546nm处0.259)，在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种碘酸硫酸铈二阶非线性光学晶体及其制备与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113417008A
申请号 ：
CN202110367563.4
公开（公告）日 ：
2021-09-21
申请日 ：
2021-04-06
授权号 ：
CN113417008B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
张弛吴天辉吴超
申请人 ：
同济大学
申请人地址 ：
上海市杨浦区四平路1239号
代理机构 ：
上海科盛知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘燕武
优先权 ：
CN202110367563.4
主分类号 ：
C30B29/46
IPC分类号 ：
C30B29/46 C30B7/10 G02F1/355
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2021-10-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/46
申请日 : 20210406
申请日 : 20210406
2021-09-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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