一种钼氟亚碲酸铷二阶非线性光学晶体材料及其制备与在激光频...
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摘要
本发明涉及一种钼氟亚碲酸铷二阶非线性光学晶体材料及其制备与在激光频率转换中的应用，该晶体材料的化学式为RbTeMo2O8F，分子量为551.95，属于单斜晶系，其空间群为Pn，晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝95.13～95.32，Z＝2，晶胞体积为
本发明的钼氟亚碲酸铷晶体材料具有优良的光学性能，在1064nm激光辐照下，粉末倍频强度约为磷酸二氢钾晶体的27倍，在波长2100nm的激光下测得其粉末倍频强度为磷酸钛氧钾晶体的2.2倍。此外，该晶体材料在可见光‑红外光区(0.34～5.4μm)有很宽的透过范围，在激光频率转换、光电调制、激光信号全息储存等领域具有广泛的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种钼氟亚碲酸铷二阶非线性光学晶体材料及其制备与在激光频率转换中的应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113481599A
申请号 ：
CN202110631443.0
公开（公告）日 ：
2021-10-08
申请日 ：
2021-06-07
授权号 ：
CN113481599B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
张弛胡艺蕾吴超
申请人 ：
同济大学
申请人地址 ：
上海市杨浦区四平路1239号
代理机构 ：
上海科盛知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘燕武
优先权 ：
CN202110631443.0
主分类号 ：
C30B29/12
IPC分类号 ：
C30B29/12 C30B7/10 G02F1/355
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/12
卤化物
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-10-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/12
申请日 : 20210607
申请日 : 20210607
2021-10-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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