一种硫酸铟铷二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用
授权
摘要
本发明涉及一种二阶非线性光学材料晶体硫酸铟铷及其制备与作为非线性光学晶体的应用。该晶体材料的化学式为Rb3In(SO4)3，分子量为1978.23，属于三方晶系，空间群为R3c，晶胞参数为α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝2，晶胞体积为
本发明的硫酸铟铷晶体材料具有优良的光学性能，该晶体具有大的光学带隙(5.75eV)，在1064nm激光照射下其粉末SHG系数为KH2PO4(KDP)的0.5倍，且在1064nm激光照射下能实现相位匹配。
基本信息
专利标题 ：
一种硫酸铟铷二阶非线性光学晶体材料及其制备与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113122907A
申请号 ：
CN202110262067.2
公开（公告）日 ：
2021-07-16
申请日 ：
2021-03-10
授权号 ：
CN113122907B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
张弛徐勤科吴超
申请人 ：
同济大学
申请人地址 ：
上海市杨浦区四平路1239号
代理机构 ：
上海科盛知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾艳哲
优先权 ：
CN202110262067.2
主分类号 ：
C30B7/10
IPC分类号 ：
C30B7/10 C30B29/46 G02F1/355
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B7/00
常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00；在保护流体下的入C30B27/00）
C30B7/10
加压法，例如水热法
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2021-08-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 7/10
申请日 : 20210310
申请日 : 20210310
2021-07-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN113122907A.PDF
PDF下载
