一种含镓单斜无机化合物晶体及其制备方法、作为红外非线性光...
公开
摘要
本申请公开了一种含镓单斜无机化合物晶体，该化合物具有下列化学式：AGa5Q8。其中，A选自碱金属元素中的一种；Q选自硫族元素中的一种；所述含镓单斜无机化合物晶体属于单斜晶系，P21空间群。进一步公开了制备上述含镓单斜无机化合物晶体的方法。并进一步公开了该材料作为非线性光学晶体的应用。本申请所述的含镓单斜无机化合物晶体具有激光损伤阈值高、倍频信号强度高等优良特点，本申请所提出的制备含镓单斜无机化合物晶体的方法具有产率高，合成工艺简单的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种含镓单斜无机化合物晶体及其制备方法、作为红外非线性光学晶体材料的应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574973A
申请号 ：
CN202210138676.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘彬文郭国聪陈文发姜小明徐忠宁
申请人 ：
中国科学院福建物质结构研究所
申请人地址 ：
福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号
代理机构 ：
北京元周律知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙小万
优先权 ：
CN202210138676.1
主分类号 ：
C30B29/46
IPC分类号 ：
C30B29/46 C30B1/10 C30B28/02 G02F1/355
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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