含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法，涉及一类含碱金属、镓或铟的硫属化合物ATrQ2 (A＝Li，Na，K，Rb，Cs；Tr＝Ga，In；Q＝S，Se，Te)的合成与晶体生长。本发明的目的是将一类含碱金属、镓或铟的硫属化合物ATrQ2的合成与助熔剂晶体生长技术结合起来。选择碱土金属硫属化合物、镓或铟的硫属化合物或卤化物以及适当的碱金属卤化物反应助熔剂为原料，通过反应助熔剂方法制备并生长一类含碱金属、镓或铟硫属化合物ATrQ2晶体。
基本信息
专利标题 ：
含碱金属、镓或铟的硫属化合物晶体的生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1952222A
申请号 ：
CN200510118210.1
公开（公告）日 ：
2007-04-25
申请日 ：
2005-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曾卉一黄锦顺郭国聪郑发鲲董振超
申请人 ：
中国科学院福建物质结构研究所
申请人地址 ：
350002福建省福州市杨桥西路155号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510118210.1
主分类号 ：
C30B29/46
IPC分类号 ：
C30B29/46 C30B9/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
法律状态
2010-07-21 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003373614
IPC(主分类) : C30B 29/46
专利申请号 : 2005101182101
公开日 : 20070425
号牌文件序号 : 101003373614
IPC(主分类) : C30B 29/46
专利申请号 : 2005101182101
公开日 : 20070425
2008-11-19 ：
实质审查的生效
2007-04-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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