一种双螺旋结构的双D型光纤微弱磁场传感器及其制作方法
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摘要

本发明涉及一种双螺旋结构的双D型光纤微弱磁场传感器及其制作方法,属于光纤领域。本发明采用双光子飞秒激光直写技术,根据材料折射率和双螺旋结构的几何形状,建立3D打印模型,双螺旋结构的横截面为圆形,先在玻璃基底上确定好要打印双螺旋结构的位置和轮廓,然后用第一种材料在双螺旋结构打印圆形截面的1/2圆,打印完毕后清洗多余部分材料,再次利用双光子激光直写装置打印第二种材料作为整个圆形截面的另外1/2,打印完毕后清洗多余部分材料。本发明所提出的双螺旋结构的双D型光纤微弱磁场传感器及其制作方法与现有的磁场传感器相比,具有易于操作、速度快、精度高、成功率高等优点,在磁场测量领域具有良好的应用前景。

基本信息
专利标题 :
一种双螺旋结构的双D型光纤微弱磁场传感器及其制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112611991A
申请号 :
CN202011522761.5
公开(公告)日 :
2021-04-06
申请日 :
2020-12-21
授权号 :
CN112611991B
授权日 :
2022-04-22
发明人 :
张登伟梁璀冀翔舒晓武
申请人 :
浙江大学;杭州翼然光电科技有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
代理机构 :
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 :
郑海峰
优先权 :
CN202011522761.5
主分类号 :
G01R33/032
IPC分类号 :
G01R33/032  B29C64/135  B33Y10/00  B33Y80/00  B81B7/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/032
采用磁—光设备,例如法拉第的
法律状态
2022-04-22 :
授权
2022-04-01 :
著录事项变更
IPC(主分类) : G01R 33/032
变更事项 : 发明人
变更前 : 张登伟 梁璀 冀翔 舒晓武
变更后 : 梁璀 张登伟 冀翔 舒晓武
2021-04-23 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 33/032
申请日 : 20201221
2021-04-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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