一种基于束状结构的磁场检测的光纤传感器
授权
摘要
本实用新型涉及一种基于束状结构的磁场检测的光纤传感器，光纤传感器包括用于偏振光输入的输入光纤、用于偏振光输出的输出光纤及熔接在输入光纤和输出光纤之间的束状光纤结构，束状光纤结构包括两端相互熔接的顺磁光纤和逆磁光纤，顺磁光纤、逆磁光纤中的一个部件的另一端与输入光纤熔接，另一个部件的另一端与输出光纤熔接，顺磁光纤为掺杂顺磁材料的光纤，逆磁光纤为掺杂逆磁材料的光纤。本实用新型的光纤传感器巧妙利用不同磁光特性的离子掺杂光纤，当磁场作用于单模光纤时，偏振光经过多级光纤束状结构，其偏振角累计增大，即通过多级束状结构增加了磁光材料的有效长度，有效增强了法拉第效应，从而有效提高了传感器的灵敏度及分辨率。
基本信息
专利标题 ：
一种基于束状结构的磁场检测的光纤传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922445454.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-30
授权号 ：
CN211653112U
授权日 ：
2020-10-09
发明人 ：
李东红葛云帆曹钦炀秦玉兰肖美岑
申请人 ：
苏州德睿电力科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路沙洲湖科创园（德睿电力）
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
赖婉婷
优先权 ：
CN201922445454.0
主分类号 ：
G01R33/032
IPC分类号 ：
G01R33/032
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/032
采用磁—光设备，例如法拉第的
法律状态
2020-10-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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