数字合金、数字合金中波红外探测器
授权
摘要
本发明是针对现有势垒型器件在吸收层和势垒层存在一个较高的价带带阶，使得空穴在运动过程中受到价带势垒的阻碍，使量子效率降低的不足，提供一种数字合金AlAsSb材料及数字合金中波红外探测器，此数字合金在一层厚度为d1的AlSb材料上，生长一层厚度为d2的AlAsxSb1‑x材料，形成厚度为d1+d2的AlAsySb1‑y基本单元，d1+d2作为一个周期，重复生长n个周期，形成数字合金DA‑AlAsySb1‑y，其中，y为数字合金中整体平均As组分，x为基本单元的一层中的As的组分，采用本发明提供的数字合金、数字合金中波红外探测器使空穴移动更加通畅，可以有效提高探测器的量子效率，并且对器件的暗电流没有影响，使其更容易适应于不同的吸收层。
基本信息
专利标题 ：
数字合金、数字合金中波红外探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112713209A
申请号 ：
CN202011597283.4
公开（公告）日 ：
2021-04-27
申请日 ：
2020-12-29
授权号 ：
CN112713209B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
陈意桥张国祯陈超周浩
申请人 ：
苏州焜原光电有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号
代理机构 ：
北京中济纬天专利代理有限公司
代理人 ：
于宏伟
优先权 ：
CN202011597283.4
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/0304 H01L31/109 B82Y30/00 B82Y40/00
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-05-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/0352
申请日 : 20201229
申请日 : 20201229
2021-04-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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