用于氧化镓材料的微波退火改性方法
授权
摘要
本发明涉及一种用于氧化镓材料的微波退火改性方法。所述用于氧化镓材料的微波退火改性方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面具有由氧化镓层；在预设温度下对所述氧化镓层进行微波退火处理，所述预设温度低于扩散温度，所述扩散温度为所述氧化镓层中的氧化镓材料与所述衬底之间发生热扩散的最低温度。本发明避免了现有传统的退火方式在退火过程中因退火温度过高而易发生氧化镓层与衬底之间热扩散的问题，且微波退火成本低廉，从而降低了氧化镓材料的退火处理成本，利于大规模量化生产。
基本信息
专利标题 ：
用于氧化镓材料的微波退火改性方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112652539A
申请号 ：
CN202011603875.2
公开（公告）日 ：
2021-04-13
申请日 ：
2020-12-29
授权号 ：
CN112652539B
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
马宏平侯欣蓝
申请人 ：
光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号C楼
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN202011603875.2
主分类号 ：
H01L21/477
IPC分类号 ：
H01L21/477 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34
具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46
用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/477
用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结
法律状态
2022-06-10 ：
授权
2021-04-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/477
申请日 : 20201229
申请日 : 20201229
2021-04-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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