一种高中频低损耗软磁复合材料及其制备方法
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摘要
本发明提供一种高中频低损耗软磁复合材料及其制备方法，所述软磁复合材料包括核层以及壳层，所述核层包括Fe元素，所述壳层包括Fe、Si以及Al三种元素形成的合金以及绝缘材料。所述制备方法包括以下步骤：(1)将铁粉与有机硅源、有机铝源、氯盐以及溶剂混合，得到混合原料；(2)将步骤(1)所述混合原料进行第一加热以及第二加热，然后去除氯盐后得到磁粉；(3)将步骤(2)所述磁粉使用处理液处理后，与绝缘材料混合，混炼后得到所述高中频低损耗软磁复合材料。所述软磁复合材料降低材料中高频损耗的同时，确保材料的磁特性，使之既具有较低的损耗，又具有较高的磁导率。
基本信息
专利标题 ：
一种高中频低损耗软磁复合材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112786271A
申请号 ：
CN202011624283.9
公开（公告）日 ：
2021-05-11
申请日 ：
2020-12-31
授权号 ：
CN112786271B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
李玉平孙永阳蒋云涛孔佳元张丛
申请人 ：
横店集团东磁股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省金华市东阳市横店镇工业区
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
巩克栋
优先权 ：
CN202011624283.9
主分类号 ：
H01F1/36
IPC分类号 ：
H01F1/36 H01F41/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01F
磁体；电感；变压器；磁性材料的选择
H01F1/00
注意C部类名后的附注3，该附注指出了IPC中所参考的化学元素周期表版本。在本组中，所用的周期系统是在周期表中用罗马数字标注的八族系统。
H01F1/01
无机材料的
H01F1/03
按其矫顽力区分的
H01F1/12
软磁材料的
H01F1/34
非金属物质，例如铁氧体
H01F1/36
颗粒状的
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-05-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01F 1/36
申请日 : 20201231
申请日 : 20201231
2021-05-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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