一种硅村底的半导体气体传感器
授权
摘要
本实用新型公开的一种硅村底的半导体气体传感器，包括固定电路板，所述固定电路板的上表面固定安装有感应头连接座，所述感应头连接座的上表面固定安装有空气感应头，所述固定电路板的上表面位于感应头连接座的一侧位置固定安装有传感芯片，所述固定电路板的下表面固定安装有多个连接脚针，所述固定电路板的四角位置均开设有螺丝安装孔。本实用新型所述的一种硅村底的半导体气体传感器，能够在传感器安装固定时，形成减震机构对传感器进行减震缓冲，防止了传感器容易受振动而受损，能够在传感器长时间工作运行时，对传感器的热量进行导出并接触空气散发，增加了传感器的散热效果，使传感器稳定的工作运行。
基本信息
专利标题 ：
一种硅村底的半导体气体传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020081313.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-15
授权号 ：
CN211905178U
授权日 ：
2020-11-10
发明人 ：
陈立强张金鑫
申请人 ：
深圳市美克森电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室
代理机构 ：
北京盛凡智荣知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘玉珠
优先权 ：
CN202020081313.5
主分类号 ：
G01N27/00
IPC分类号 ：
G01N27/00 F16F15/04 F28D1/03 F28F1/28
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N27/00
用电、电化学或磁的方法测试或分析材料
法律状态
2020-11-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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