一种加工超大尺寸单晶硅片插片机的阻挡结构
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摘要

本实用新型提供一种加工超大尺寸单晶硅片插片机的阻挡结构,所述插片机阻挡结构设置于所述插片机的花篮后面,用于对入篮硅片进行缓冲,包括缓冲底座,垫高块以及固定块,所述缓冲底座设置于花篮平台上,所述固定块与所述插片机的横梁连接,用于固定所述插片机的阻挡结构,所述垫高块上端连接所述固定块,下端连接所述缓冲底座,用于垫高所述固定块,实现所述阻挡结构与所述插片机的连接。本实用新型在插片机上增加所述阻挡结构,使硅片在插片过程中不直接与花篮接触,先与所述阻挡结构进行软接触,缓冲插片过程中的冲击力,减少硅片直接撞击到花篮上的冲击力;改善装载直径为270mm‑300mm、边长为200mm‑210mm、厚度为150‑200μm硅片崩损、隐裂高的问题,降低产品损失。

基本信息
专利标题 :
一种加工超大尺寸单晶硅片插片机的阻挡结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020093442.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-01-16
授权号 :
CN211376609U
授权日 :
2020-08-28
发明人 :
王冬雪郭俊文崔伟黄磊王大伟许海波
申请人 :
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 :
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 :
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
栾志超
优先权 :
CN202020093442.6
主分类号 :
H01L21/677
IPC分类号 :
H01L21/677  H01L31/18  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/677
用于传送的,例如在不同的工作站之间
法律状态
2020-08-28 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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