一种LPCVD双材质真空反应室
授权
摘要
本实用新型公开一种LPCVD双材质真空反应室，其包括反应室、进气组件及出气管，进气组件与外部气源连接，反应室包括外层腔体及设在外层腔体内的内层腔体；进气组件包括至少一个左进气管及至少一个右进气管，每一个左进气管的进气口设置在反应室长度方向的一端部，每一个右进气管的进气口设置在反应室长度方向的另一端部，左进气管和右进气管上均设有多个出气孔。本实用新型设计的真空反应室，反应室两端均有进气管进行气体扩散，使得反应室内气体分散广泛均匀，出气稳定，提高硅片薄膜均匀性及工艺质量，提高产品优良率；真空反应室采用双层结构，真空性优异，抗冲击性能强，提高整体反应室的强度，提高使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种LPCVD双材质真空反应室
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020140602.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-21
授权号 ：
CN211497783U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
张凤嘉任俊江薇儿妮卡·夏丽叶张灵肖益波
申请人 ：
赛姆柯（苏州）智能科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州相城区经济技术开发区漕湖街道漕湖产业园方桥路569号航空产业园A5标准厂房
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
吴芳
优先权 ：
CN202020140602.8
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
