一种TOPCon电池双面镀膜设备
授权
摘要
本实用新型提供一种TOPCon电池双面镀膜设备，包括用于镀膜操作的真空炉腔，所述真空炉腔上设有炉口所述真空炉腔上设有炉口，包括硅片载具和电极组结构，所述硅片载具能够装载到炉门上，所述炉门能够在载板升降模组的驱动下带动硅片载具移动；所述电极组结构能够在电极组平移机构的驱动下在所述真空炉腔内移动从而与所述硅片载具结合或者分离；所述真空炉腔底部设有抽真空接口。
基本信息
专利标题 ：
一种TOPCon电池双面镀膜设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020158312.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-10
授权号 ：
CN212293742U
授权日 ：
2021-01-05
发明人 ：
刘群林佳继庞爱锁林依婷
申请人 ：
拉普拉斯（无锡）半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山区锡北镇锡港路张泾东段209号
代理机构 ：
杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
董世博
优先权 ：
CN202020158312.6
主分类号 ：
C23C16/54
IPC分类号 ：
C23C16/54 C23C16/458 C23C16/34 C23C16/40
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/54
连续镀覆的专用设备
法律状态
2021-01-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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