一种用于半导体生产的混酸恒温系统
授权
摘要
本实用新型提供了一种用于半导体生产的混酸恒温系统，包括用于刻蚀的酸槽，其特征是：所述酸槽的进水管和出水管分别与制冷箱连通，在制冷箱中设置用于热交换的降温盘管，降温盘管的两端分别与制冷机连通，在酸槽的进水管上设置酸泵和阀门，酸槽的进水管与酸槽的底部连通，酸槽的出水管设置在酸槽远离进水管的一侧，在酸槽的进水管上设置第一热敏电阻，第一热敏电阻与报警电路连接，在制冷机的进液管上设置第二热敏电阻，第二热敏电阻与报警电路连接。该系统可以使酸液循环并经过冷却机冷却，使酸液温度稳定，避免温度变化对刻蚀的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种用于半导体生产的混酸恒温系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020190521.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-21
授权号 ：
CN211088227U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
张运孙者利
申请人 ：
济南卓微电子有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市章丘明水绣源路中段
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020190521.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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