一种高灵敏度磁感应强度传感器
授权
摘要
本实用新型公开了一种高灵敏度磁感应强度传感器，所述的传感器结构从下到上包括棱镜、ITO膜、SiO2膜、AlN膜、样品池和磁流体。本实用新型传感器基于Fano共振模式，灵敏度高，速度快，抗干扰能力强。本实用新型传感器具有很高的灵敏度，灵敏度可达0.047nm/Oe。
基本信息
专利标题 ：
一种高灵敏度磁感应强度传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020269581.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-07
授权号 ：
CN212180994U
授权日 ：
2020-12-18
发明人 ：
韩程章王霞赵秋玲
申请人 ：
青岛科技大学
申请人地址 ：
山东省青岛市崂山区松岭路99号
代理机构 ：
青岛中天汇智知识产权代理有限公司
代理人 ：
袁晓玲
优先权 ：
CN202020269581.X
主分类号 ：
G01R33/032
IPC分类号 ：
G01R33/032
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/032
采用磁—光设备，例如法拉第的
法律状态
2020-12-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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