一种基于稀土氧化物闪烁体/半导体复合薄膜的X射线探测器
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摘要
本实用新型公布了一种基于稀土氧化物闪烁体/半导体复合薄膜的X射线探测器，包括：衬底，闪烁体薄膜层Ln2O3:Re3+，是在衬底的导电面由含稀土元素的前驱体电解液通过电沉积，再中低温退火结焦形成的，Ln是Lu、La和Y元素中的一种，Re3+是Eu3+，Tb3+，Tm3+中的一种，用于将X射线转换成可见荧光；闪烁体薄膜层表面还附着了金属叉指电极，及光电响应AmXn半导体构成的光响应半导体薄膜层，A表示过渡族金属元素，X表示氧族元素，m和n由过渡族金属元素和氧族元素的化合价决定；衬底下还附着一层可见荧光反射层。光电响应薄膜层将上述可见荧光转换成数值化电流，实现X射线辐照度的探测。本探测器在高能射线和高能粒子探测领域具有广泛的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种基于稀土氧化物闪烁体/半导体复合薄膜的X射线探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020270841.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-08
授权号 ：
CN211700312U
授权日 ：
2020-10-16
发明人 ：
李岳彬陶敏陈思琦柳维端王成李根胡永明顾豪爽
申请人 ：
湖北大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
代理机构 ：
武汉宇晨专利事务所
代理人 ：
王敏锋
优先权 ：
CN202020270841.5
主分类号 ：
H01L31/115
IPC分类号 ：
H01L31/115 H01L31/0224 H01L31/0236
法律状态
2020-10-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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