一种高精度晶振测试电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种高精度晶振测试电路，包括用于待检测的测试晶振、用于引起振荡信号的场效应晶体管、用于将振荡信号进行放大的第一三极管、用于将振荡电流进行放大的倍压整流电路、用于导通振荡信号的第二三极管、用于检验提示测试晶振正常与否的发光二极管、测试开关及电源，发光二极管的正极依次经过第一电阻、测试开关并与电源连接。本实用新型将测试晶振的两端接入电路后，电路振荡，振荡信号通过第一三极管的发射极放大后输出，再经过倍压整流电路的电流放大作用，为第二三极管提供偏置电流，第二三极管导通，发光二极管亮起，以提示测试晶振合格；采用第一三极管及倍压整流电路将振荡信号两级放大的方式，可提高晶振测试的精确度。
基本信息
专利标题 ：
一种高精度晶振测试电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020281010.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-09
授权号 ：
CN211785919U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
夏涛
申请人 ：
深圳市奥宇达电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区石岩街道宏发科技园H3栋3楼
代理机构 ：
深圳市中科创为专利代理有限公司
代理人 ：
梁炎芳
优先权 ：
CN202020281010.8
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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